“預計還要再有一兩個月，差不多就可以開始組裝。”

    在光刻機研制緊鑼密鼓進行的同時，芯片產業自動化的其他研究項目也在同步進行中。

    例如，制備高純度硅粉的方法，在張紅衛的要求下，采用的是化學工藝的三氯氫硅還原法。

    這種制備方法有如下幾個優點：

    首先是可以大規模工業化生產。

    其次是可以制備出高純度的多晶硅，純度甚至可以達到百分之九十九點九以上。

    相比之下，物理工藝雖然可以保證顆粒的球形化和無定型率，但在純度和粒徑控制方面存在一定的局限性。

    而且，物理工藝提純硅粉也不太適宜大規模生產。

    高純度硅粉制備完成之后，還要使用單晶爐來進行單晶硅片的制造。

    先進的單晶爐同樣具有技術難點。

    它的主要的技術難點就是溫度控制、雜質控制和設備精度等方面。

    單晶爐溫度的控制是單晶硅生長過程中的關鍵因素。

    它要求縱向溫度梯度要大，這是單晶生長的驅動力。

    而徑向溫度梯度需要控制得較小，以避免熱應力導致的位錯和晶體失敗。徑向溫度越大，拉晶越難，因此需要精確地控制熱場的溫度分布。

    雜質控制也是單晶培育的一個技術難點。

    在單晶硅的生長過程中，需要摻入一定量的電活性雜質來控制導電類型和電阻率。

    但是，重金屬和非金屬雜質的存在也會嚴重影響PN結的性能，所以就需要嚴格控制雜質的含量和分布。