“拋光的時(shí)候，下盤(pán)在電動(dòng)機(jī)的帶動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng)，粘有硅片的平板可繞本身的軸轉(zhuǎn)動(dòng)，保證了拋光的均勻。

    從下盤(pán)的中-央注入拋光液，也是我們研發(fā)的自主專利技術(shù)產(chǎn)品，拋光液可以在離心力作用下向周?chē)㈤_(kāi)。

    在拋光過(guò)程中，旁邊的測(cè)溫儀會(huì)精準(zhǔn)控制盤(pán)溫，在摩擦產(chǎn)生的熱量的促進(jìn)下，拋光液中的OH-根使硅片表面氧化，同時(shí)拋光液中的拋光粉顆粒將氧化層磨去，從而起到了將硅片表面逐漸拋光的作用。”

    李毅風(fēng)簡(jiǎn)單講了一下他們確定的拋光工藝流程。

    與光刻膠不同，拋光工藝考的就是一個(gè)材料精密和膽大心細(xì)，所以周瑜并沒(méi)有過(guò)多深入這個(gè)項(xiàng)目，而是在給了技術(shù)參數(shù)相關(guān)文件之后，就當(dāng)起了甩手掌柜。

    “按照您給出的文件標(biāo)準(zhǔn)，晶圓需要經(jīng)過(guò)邊緣粗拋和表面精拋兩次加工處理，其表面才能達(dá)到芯片制造的工藝要求。

    但是在實(shí)際實(shí)驗(yàn)的過(guò)程中，我們發(fā)現(xiàn)國(guó)外那個(gè)實(shí)驗(yàn)室這樣做的原因其實(shí)是對(duì)成本的取舍。

    邊緣拋光的目的是去除硅片表面殘留的機(jī)械損傷，降低微粒附著于晶圓的可能性，并使晶圓具有較佳的機(jī)械強(qiáng)度，以降低因碰撞而產(chǎn)生碎片的可能性，我們將邊緣拋光的時(shí)間拉長(zhǎng)，并且增加了更精密的壓力傳感器之后，已經(jīng)夠達(dá)到從晶圓表面去除20μm（微米）到10μm（微米）左右厚度的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)?

    第二次精拋，目的是去除第一次拋光在硅片表面留下的輕微損傷和云霧狀缺陷，這一個(gè)流程非常難處理，后續(xù)我們也是找設(shè)備研發(fā)部門(mén)，花費(fèi)巨資購(gòu)買(mǎi)了一臺(tái)拋光機(jī)，拆分研究，逆向工程之后，才發(fā)現(xiàn)了其中奧秘。

    最終的拋光步驟并不是只有一層拋光那么簡(jiǎn)單。

    我們需要進(jìn)行化學(xué)腐蝕和機(jī)械摩擦的結(jié)合，晶圓被裝在旋轉(zhuǎn)的拋光頭上，下降到拋光墊的表面以相反的方向旋轉(zhuǎn)，我們研發(fā)的二氧化硅拋光液必須要懸浮在適度的含氫氧化鉀或氨水的腐蝕液中，滴到拋光墊上，讓堿性拋光液在晶圓表面生成一薄層二氧化硅。

    接著再讓拋光機(jī)以持續(xù)的機(jī)械摩擦，去除氧化物，直到晶圓表面的所有突出高點(diǎn)都被去除掉，才能夠獲得一塊標(biāo)準(zhǔn)的平整表面。

    拋光時(shí)間，晶圓和拋光墊上的壓力、旋轉(zhuǎn)速度、拋光液顆粒尺寸、拋光液流速、拋光液的pH值、拋光墊材料等項(xiàng)目，我們都進(jìn)行了內(nèi)部重建和開(kāi)發(fā)。

    幸運(yùn)的是，咱們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)足夠年輕，學(xué)習(xí)知識(shí)的速度快，所以在進(jìn)行了重組之后，大家可以很快學(xué)習(xí)技術(shù)并且上手實(shí)操，反饋優(yōu)化。”

    李毅風(fēng)一邊講解的時(shí)候，一邊遞給了周瑜一份人員名單。

    “董事長(zhǎng)，這是幾位比較突出的研發(fā)人員，他們學(xué)習(xí)技術(shù)的速度很快，而且常常能夠舉一反三，特別是那位西工大畢業(yè)的學(xué)生，鄭海，他不僅參與了拋光液的研發(fā)，還在光拋器這個(gè)機(jī)械項(xiàng)目上有很多點(diǎn)子。

    只不過(guò)有一點(diǎn)我們需要重視，那就是為了部分設(shè)備的精密度足夠優(yōu)秀，又不引起霓虹島國(guó)和高麗那邊企業(yè)的敏感性，我們團(tuán)隊(duì)高價(jià)從德國(guó)購(gòu)買(mǎi)了精密度高的機(jī)床，同時(shí)還讓人力資源部門(mén)幫忙招聘了一個(gè)工程師團(tuán)隊(duì)。

    幸虧電視機(jī)工廠那邊有師傅認(rèn)識(shí)相關(guān)從業(yè)人員，不然我們這款拋光機(jī)的研發(fā)還需要不少時(shí)間。”